Lam Research 目標第四季營收達 66 億美元創紀錄，AI 記憶體需求強勁推動半導體設備超級週期

Lam Research 正邁向史上最高季度營收，記憶體廠商為因應 AI 運算需求競相擴建產能。

Lam Research 預期 2026 會計年度第四季營收將達 66 億美元創下歷史新高，受惠於晶片製造商為擴張 AI 產能，對高頻寬記憶體及先進 DRAM 設備的需求大幅激增。該目標將超越前一季創下的 62 億美元紀錄，季增幅度約為 6%。

Lam Research 執行長 Tim Archer 在最近一次財報電話會議上表示：「記憶體復甦是結構性的，而非週期性的，且由 AI 訓練與推論需求驅動，此動能絲毫未見放緩。」

記憶體產業的結構性供應短缺正推動設備支出週期升溫。根據業界揭露的資訊，三星、SK 海力士及美光等製造商已表示，至少到 2027 年的產能已全數售罄。三星與 SK 海力士共同承諾投入 800 兆韓元（約 5180 億美元），在南韓西南地區興建四座新的記憶體晶圓廠；美光則投資 30 億美元強化其美國供應鏈，其中包括向環球晶圓投入 5 億美元，用於 300mm 矽晶圓原料。美光執行長 Sanjay Mehrotra 警告稱，大規模的新增產能恐怕要到 2028 年之後才能到位，該公司目前僅能滿足核心客戶需求的 50% 至三分之二。

記憶體產能緊縮的根源，直接來自於 AI 對高頻寬記憶體（HBM）的龐大需求。HBM 是一種垂直堆疊的特殊 DRAM，用於在訓練與推論過程中向 Nvidia 的圖形處理器餵送數據。主導 HBM 市場的 SK 海力士正於印第安納州西拉法葉興建其首座美國生產基地——是一座耗資 40 億美元的先進封裝與研發設施，專注於 HBM 製造，預計於 2028 年底量產。該公司在加州沙加緬度附近也設有 Solidigm 子公司，負責企業級 NAND 快閃記憶體的營運。

Lam 的設備對 DRAM 與 NAND 快閃記憶體的生產均至關重要。該公司的沉積與蝕刻工具用於製造 HBM 堆疊所需的先進節點，以及為 AI 資料中心儲存供電的 3D NAND 層。Sandisk 與 Kioxia 近日宣布，已在日本北上工廠開始量產其第十代 3D 快閃記憶體技術 BiCS10——這是一款 332 層的 TLC NAND 晶片，密度達每平方毫米 29Gb，介面速度為 4.8 Gb/s，較前一代提升 33%。

該設備商的展望也受益於更廣泛的產業動態：作為極紫外光微影系統的全球獨家供應商，ASML 表示供應量到 2026 年都無法滿足需求。ASML 執行長 Christophe Fouquet 向投資人表示，記憶體客戶「2026 年的產能已全數售罄」，該公司截至第四季的未交付訂單達 450 億美元，而當季淨接單量為 153 億美元。雖然 ASML 的 EUV 工具是 7 奈米以下邏輯節點的必要設備，但 Lam 的蝕刻與沉積設備對於定義 AI 晶片時代的記憶體層堆疊同樣關鍵。

Lam Research 股價目前約為預期本益比的 22 倍，低於 ASML 的 30 倍以上，反映市場較偏好 ASML 在微影設備領域的壟斷地位。然而，這波設備支出浪潮的規模足以同時帶動兩家公司：ASML 於 2026 年 1 月啟動了 120 億歐元的股票回購計畫（執行至 2028 年），並將股利調高 17%；而 Lam 創紀錄的營收目標則暗示其資本回報計畫可能加速。應用材料與 Lam Research 在沉積與蝕刻領域競爭，但兩者均未銷售微影設備，這使 Lam 在 AI 資本支出週期中擁有與記憶體相關的差異化優勢。

2026 會計年度第四季財報預計於 7 月下旬公布。若 Lam 能達成 66 億美元的目標，這將是這家總部位於加州弗里蒙特的公司連續第四個季度創下或接近創紀錄的營收，進一步印證 AI 驅動的設備超級週期具有持久性。

本文僅供資訊參考，不構成任何投資建議。